產品介紹：
隨著芯片中晶體管的數量的增加，矽通孔封裝（Through Silicon Via, TSV）的垂直堆疊在半導體器件領域突破了傳統二維集成的瓶頸。通過三維集成，矽通孔TSV技術近年來得到了廣泛應用 ，其中通孔填充是電阻率和電容的關鍵過程，但是矽通孔TSV的縱橫比很高，普通電鍍或濺射由於其物理和化學工藝極限，無法實現完全填充。而且通過濺射和電鍍的工藝，矽基板需要經過生長SiO2層，需要通過磁控濺射在具有SiO2層的襯底上沈積由Ti和Cu組成的金屬種子層然後再進行電鍍，整個流程長，耗時耗電，設備投入大成本高。
百柔新材通過開發具有高導電率的塞孔銅漿通過刮刀壓力的方式將導電銅漿刮入矽通孔，從而實現高厚徑比的矽通孔TSV金屬化，可以加工25-150um矽通孔TSV過孔金屬化。為半導體封裝載板客戶提供矽通孔TSV過孔金屬化代工服務。也可以為客戶定製和提供塞孔銅漿，以實現矽通孔TSV金屬化飽滿填充。經過銅漿塞孔後的TSV能夠使芯片在三維方向堆疊，通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低芯片的電容和電感，實現芯片間的低功耗高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化，是公認的第四代封裝互連技術。
工艺流程：
工藝優勢：
· 設備投入少，減少了傳統濺射和電鍍大型設備和資金投入
· 工藝簡單，通過模具和物理壓力的方式將銅漿等金屬漿料實現矽通孔TSV金屬化填滿
· 結合力好，矽通孔TSV金屬漿料中含有玻璃粉體，提高了金屬漿料與矽基材的結合力
· 可以實現高厚徑比的矽通孔TSV金屬化難題 ，最大塞孔厚徑比高達20:1
· 製程簡單，僅僅印刷+燒結+研磨三個步驟即可實現
工艺可靠性：
· 耐化学腐蚀，耐热应力，可焊性良好
· 后制程可靠性稳定，可蚀刻、表面处理
· 低粗糙度：Ra＜0.5μm
· 高附着力：>3N/mm
· 300℃以下热冲击，附着力稳定
· 1000个热循环，附着力稳定
加工能力：
應用場景：
矽通孔技術TSV是一項高密度封裝技術，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術，被認為是第四代封裝技術。矽通孔技術TSV可以通過垂直互連減小互聯長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現器件集成的小型化。廣泛應用於射頻、存儲、通訊等芯片的三維封裝領域。在矽通孔TGV的塞孔銅漿可以與封裝基板或PCB板等的金屬實現異質互聯，從而實現多維封裝。
加工效果：
